作為快閃記憶體的發明者，鎧俠(原東芝存儲)在國際電子設備會議(IEDM)上公布BiCS快閃記憶體系列和即將推出的XL-Flash技術，並且附上了一份展現未來願景的幻燈片。儘管各個廠家的技術側重點不盡相同，但鎧俠並不看好3D XPoint類型的堆疊類存儲方案的前景。
存儲市場在未來十年仍將繼續追求存儲的密度、速度和需求的平衡點，動態隨機存儲器(DRAM)、快閃記憶體(Flash)和「存儲級內存」(SCM)是當前三大發展方向，鎧俠對英特爾和美光的3D XPoint長期願景進行展望。
在過去數十年中，快閃記憶體的浮柵和電荷陷阱技術已經歷多次變化，新開發的存儲器狀態，取決於單元中介質的電阻或自旋，而不是電壓。傳統上很容易將每個單元視作不同值的「0」或「1」，但隨著材料類型的發展，每個單元已能夠容納更多的狀態(SLC、MLC、TLC、QLC 等)，此舉能夠獲得倍增的容量，但同時對檢測電路的精準度提出更高的要求，通常可增加單元大小或降低總體密度來實現。
鎧俠目前的BiCS快閃記憶體技術依賴在塔中堆疊多層浮柵單元，然後在xy方向重複該設計以增加容量，鎧俠已大量推出TLC和QLC產品，並希望打造面向特殊應用的每單元5比特位(PLC)產品。另外，BiCs系列產品的設計層數也在不斷增加，從最初的32層增加到48層、再到64層和96層，最新一代的128層產品也已經開始出貨。通過堆疊更多層的方式，能夠讓產品的單晶片容量的到大幅度提升。
鎧俠正在開發一種名為XL-Flash的新型快閃記憶體。區別於傳統快閃記憶體以「頁面」和「塊」的方式工作，內存以「比特位」的方式工作，意味著DRAM可訪問每個比特位並對其進行修改;但快閃記憶體則意味著任何寫操作都需要一次寫入整個頁面，寫入的損耗也成倍更大。
3D堆疊式存儲單元的工作方式與快閃記憶體有所不同，以3D XPoint為例，其使用相變材料來改變存儲單元的電阻，並可以通過電子選擇器開關進行訪問。通過交替改變字線和位線的方向來構建存儲器，保留SCM的比特位可尋址特性。要堆疊更多的層數也只需添加額外的字線和位線，以及其間的單元。
但鎧俠仍不看好3D XPoint的前景，其主要原因是相對於層數的每比特位成本，層數的增加會帶來更高的複雜性，控制電路會損失一部分面積，產能損失的影響也更大;更成熟的3D NAND技術在面積上損失幾乎為零、產量的損失也極低;3D NAND在製造過程中，某些蝕刻和填充步驟可一次覆蓋很多層，但3D堆疊SCM技術，仍未充分擴展到單層設備之外的市場。
鎧俠數據顯示，儘管其BiCS快閃記憶體在經過10層時會降低到每比特成本的漸近值，但與單層方案相比，3D堆棧SCM最多只能將4-5位比特的存儲成本降低到60%(之後就開始飆升)，原因是後者未能受益於數十年改進的複雜工藝，導致每層的成本增加、面積的損失以及產量下跌。構建3D堆棧存儲器每多一步驟，良率也會更低。
如上方公式所示：其中n為層數，Cf為公共層的成本，Cv是每增加一層的成本，A是添加一層造成的面積損失，Y是單層的產量損失。有鑒於此，鎧俠在會議上指出，12層左右的3D SCM每比特位成本相當不錯。但若層數增加到NAND快閃記憶體一樣多(以64層SCM為例)，單層每比特位成本就暴增到50倍。
即便未來推動3D堆疊式SCM的支持，但4層以上的堆疊預測成本已經過高，同時還沒有考慮到潛在發展這項技術存在變數。所以SCM確實可在內存領域提供超大的數據池，每GB成本較DRAM低很多，但未來很長一段時間，快閃記憶體仍將在行業內占主導地位。
題外話：從11月底開始，存儲市場又開始火熱起來，無論是固態硬碟及NAND-Flash，還是內存和DRAM都開始進入漲價模式。事實上，存儲產品周期性波動已經是行業常態，固態硬碟在經歷連續兩年的下跌之後，終於開始回暖；內存的降價周期雖然沒有NAND存儲長，但是也相當之大。
至於現在是否可以購買新的存儲產品，筆者認為看需求，多數用戶在經歷著兩年的大跌之後，已經完成了產品的更新疊代，用戶的需求也沒有想像之中大。雖然PLC之類的產品開始出現在大眾視野，但是這類型產品在5年時間裡依然無法替代現有的TLC顆粒和QLC顆粒，畢竟QLC顆粒的問題還是被大多數用戶吐槽。內存方面，隨著DDR5標準的制定，DDR4內存的出貨在短時間內不會受到影響，但是用戶可能會處於觀望階段，畢竟DDR5將在兩到三年來開始投向開放市場，DDR4內存未來的漲幅不會太大。