作為 AMD 的「前女友」，格羅方德（GlobalFoundries）已經退出了業內最領先的製造技術競賽，但是看到了面向 5G 應用的 RF-SOI 晶片、以及面向低功耗設備的 FD-SOI 晶片的巨大前景。本周，該公司與 GlobalWafers（GWC）簽署了一份諒解備忘錄（MOU），以開發 300 mm SOI 晶圓的長期供應合同。
據悉，這是格羅方德在不到一年的時間裡，簽署的第二份 SOI 晶圓長期供應協議（WSA）。
絕緣底上矽（SOI）技術曾用於打造頂尖的處理器，但現如今已得到廣泛的應用。
包括那些需要超低功耗的應用（IoT 領域的 SoC 和 MCU）、高電壓（模擬 / 混合信號制式）、或高電阻係數產品（比如 4G / 5G 智能機的 FEMI 前端模塊）。
這些都需要使用所謂的特殊製造工藝，因此引發了格羅方德的極大興趣。
此外伴隨著 5G 和物聯網的興起，RF-SOI 和 FD-SOI 將在此類晶片的量產上發揮重要的作用。
目前格羅方德旗下運營著七座 300 mm 晶圓廠（包括位於紐約 East Fishkill 的 Fab 10 工廠）和三座 200 毫米晶圓廠。
該公司最大的 300 mm 晶圓廠（Fab 1）將專注於 SOI 產品的製造，新加坡的 Fab 7 工廠亦將同時大批量使用 SOI 技術。
Fab 10 工廠可使用基於 SOI 的工藝來處理晶圓，此外格羅方德正計劃在中國程度新建另一座 300 mm 晶圓廠。
其將藉助 22FDX 技術來製造晶片，最終讓自家的 200 mm 工廠也用上 SOI 晶圓。
作為全球最大的 SOI 晶圓客戶，格羅方德將從 Soitec 和 GlobalWafers Co. 那裡採購 200 mm 和 300 mm 基板。
僅在去年，格羅方德和 Soitec 就已經在 2017 年簽署的 WSA 供應協議的基礎上，補充了一項持續多年的 300 mm SOI 晶圓供應協議。
事實證明，格羅方德的高級 RF-SOI 工藝甚至需要 300 mm 以上的 SOI 晶圓。
因此作為新合約的一部分，該公司才如此積極地幫助 GWC 顯著壯大其 SOI 晶圓製造能力。至於具體的消耗量，格羅方德、Soitec 和 GWC 均未透露。