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文|薰兒

工業基礎不行

現在國內的華為公司因為晶片的問題，被美國公司整得「死去活來」，如果還不能找到行之有效的方法，華為就危險了，當時很多人都在問，為什麼國內的半導體行業2000年才開始真正的發展，之前的幾十年都在做些什麼？

實際上，國內發展半導體的時間很長了，在幾十年前就一開始發展半導體了，不過國內的工業基礎不行，所以一直在搞「逆向工程」。在上個世紀70年代，我們就曾經先後逆向仿製美國DEC和IBM公司的晶片。

但是說實話，製造晶片哪有那麼容易，晶片內部的原理就是電子的流動，要實現電子的流動就必須有PN機，上個世紀70年的所謂「逆向工程」實際上就是用人工的方式來製造PN節，一個熟練工人、一把鉗子、一個顯微鏡。

用這種方式製造出來的晶片良品率不足百分之一。反觀當時的美國公司，比如英特爾、仙童等等，從「八叛逆」發明了集成電路的製造方法以後，一次性能夠生產出來的晶片成千上萬。但是國內不是不想發展，而是真的發展不了。

精密的工具機、精密的鏡頭、精密的化工技術，缺少了哪一個都不行。

我國跟國際的差距在縮小

其實現在國內的晶片製造業沒有那麼差，只不過跟國外一比，才分出高下，現在中國國內的上海微電子，目前已經研製出了193納米波長的極紫外光光刻機，能夠輕易而舉地實現28納米線寬的集成電路的製造。

而且中微半導體的蝕刻設備現在也是世界一流的水平，蝕刻是考驗精密控制的，這也正正說明了國內的工業基礎正在一點點的完善，並沒有那麼不堪。

再有就是國內的江蘇省實際上有不少的半導體企業，其中的新美光和南大光電在半導體材料上都是一流，前者製造出來了單晶矽棒，可以切割為晶圓；後者在光刻膠上打破了美日的壟斷。

總而言之，國內半導體的發展跟國際的差距正在縮小，現在的差距在10年到20年之間，按照目前的發展趨勢，只要10年左右的時間就可以追趕

實驗室製取跟工業量產的區別

其實國內有些實驗室是可以製作出高精尖的晶片的，只不過就是幾片而已，這叫做實驗室製取，畢竟像中芯國際的193納米波長的深紫外光光刻機，極限是可以達到7納米的，前提是要多次曝光。

光刻就相當於畫個草圖，實驗室有多種方法去畫圖，但問題是這種方面不能夠實現工業化的量產。無法大規模地普及，這就是實驗室製取跟工業量產的區別。

但是也別擔心，國家現在正在進行一個5年的晶片計劃，計劃在2025年將晶片的自給率由30%提到70%。很多專家像張召忠也表示，在未來，中國晶片遍地走，究竟結果如何，讓我們拭目以待吧。

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