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近日，中科院對外宣布，中國科學家研發除了新型垂直納米環柵電晶體，這種新型電晶體被視為2nm及一下工藝的主要技術候選。這意味著此項技術成熟後，國產2nm晶片有望成功「破冰」，意義重大。
目前最為先進的晶片製造技術為7nm+Euv工藝製程，比較出名的就是華為的麒麟990 5G晶片，內置了超過100億個電晶體。麒麟990首次將將5G Modem集成到SoC上，也是全球首款集成5G Soc，技術上的確實現了巨大突破，也是國產晶片里程碑式的意義。
而繼華為之後，中科院研發出了2nm及以下工藝所需要的新型電晶體——疊層垂直納米環柵電晶體。據悉，早在2016年官方就開始針對此類技術開展相關研究，歷經重重困難，中科院斬獲全球第一，研發出世界上首個具有自對準柵極的疊層垂直納米環柵電晶體。
同時這一專利還獲得了多項發明專利授權，中科院的這項研究成果意義很大，這種新型垂直納米環柵電晶體被視為2nm及以下工藝的主要技術候選，可能對國產晶片製造有巨大推動作用。如今在美國企業的逼迫下，國產企業推進自主可控已成為主流意識，市場空間將被進一步打開。相信在5年的時間內，在技術方面將實現全面突破。切斷對於華為的技術提供，這將是中國整體研發晶片的一個里程碑式轉折，中國將不再過於依賴美國所提供的相關晶片及其技術。
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