近日看到一則新聞，中芯國際擊敗台積電，贏得華為海思14nm晶片代工大單。看到這則新聞時，當然是心情澎湃。但是看到評論說：「別人都是做7nm，我們做14的，比別人多一倍，厲害！」，這我就不淡定了，高興之餘，一些基本的概念還是要知道的，要不然太譁眾取寵了。
14nm真的比7nm厲害嗎？14nm又是什麼意思？我們先從晶片廠商說起。
晶片廠商大致分為三類：IDM、Fabless、Foundry。
IDM（集成器件製造商）指擁有自己的晶圓廠，集晶片設計、製造、封裝、測試、投向消費者市場五個環節的廠商，一般還擁有下游整機生產，比如 Intel、IBM、三星等。
Fabless（無廠半導體公司）指有能力設計晶片架構，但本身無廠，需要找代工廠代為生產的廠商，比較知名的是 高通、蘋果和華為麒麟。
Foundry（代工廠）指擁有生產工藝技術，代工生產別家設計的晶片的廠商。比如台積電、三星等，三星相比台積電，它即研發生產獵戶座晶片，同時還代工生產蘋果、高通的訂單。而台積電無自家晶片，主要接單替蘋果和華為代工生產。
那麼介紹完這些之後，到底14nm代表什麼意思？nm就是單位納米，14nm其實描述的是製程工藝。一款晶片製程工藝的具體數值是手機性能關鍵的指標。製程工藝的每一次提升，帶來的都是性能的增強和功耗的降低，而每一款旗艦手機的發布，常常與晶片性能的突破離不開關係。14nm放在今天來說是比較落後的技術了，早在3年前三星就研發出了10nm製程工藝，10nm工藝相比於14nm，晶片速度快27%，效率提升40%，高通驍龍835晶片就是基於三星10nm製造工藝打造的，由4核升級成8核，體積也更小了。
那麼這個10nm是怎麼算出來的呢？這得從晶片的組成單位電晶體說起。
如上圖，電晶體結構中，電流從Source（源極）流入Drain（漏級），Gate（柵極）相當於閘門，主要負責控制兩端源極和漏級的通斷。電流會損耗，而柵極的寬度則決定了電流通過時的損耗，表現出來就是手機常見的發熱和功耗，寬度越窄，功耗越低。而柵極的最小寬度（柵長），就是XXnm工藝中的數值。對於晶片製造商而言，主要就要不斷升級技術，力求柵極寬度越窄越好。但當電晶體的尺寸縮小到一定程度（業內認為小於 10nm）時會產生量子效應，這時電晶體的特性將很難控制，晶片的生產難度就會成倍增長。
所以14nm並不是比7nm牛逼！依據摩爾定律的預測，晶片還會變的更小，當然也要結合市場進行研發。其實我們在晶片領域的差距還是有點大的，希望我們國產晶片廠商擼起袖子加油干，早日擁有屬於我們自己的「中國強芯」。