我們都知道晶片的核心技術一直被美國企業壟斷，而我國對晶片有著巨大的需求，一旦兩國發生貿易衝突，美國就有可能限制對中國的晶片出口，從華為事件就可見一斑，為了不被他人扼住咽喉，必須突破自主晶片。近日，中科院宣布晶片2nm製程獲得突破，成為下一代晶片工藝的主要技術候選，這無疑是一個振奮人心的消息。
目前中芯國際已經量產14nm晶片，台積電也完成了7nm工藝生產，2020年開始向5nm突破，而中科院這次發出2nm晶片破冰的消息在行業內無疑是爆炸式新聞。晶片製程在理論上是很難彎道超車的，必須先由10nm才能過渡到7nm，7nm成熟後才能邁向5nm，而中科院是如何一下子進軍到2nm製成的呢？
2nm工藝製程的突破主要得益於新材料和新平台的出現。打個比方，為什麼網際網路造車的新勢力的自動駕駛都要從L4級起步呢，要知道自動駕駛的級別也是從L1到L5一步一步過來的，那這些造車新勢力為什麼不直接從L2開始起步，這樣就可以快速產出車型，快速上市銷售，增加回本速度。
因為造車新勢力涉足L2和L3是沒有任何意義的，傳統車企為了轉型已經開始研究自動駕駛的L2和L3級技術，作為新勢力很難挑戰傳統車企的市場和技術地位，為了突破只能選擇彎道超車，而L4級就是彎道超車的捷徑。目前人工智慧，5G和大數據正好提供了這麼一個有利於自動駕駛技術的平台，在這個平台上造車新勢力和傳統車企才能算是同時起步，新勢力才有可能取得優勢。
相同的原理，新的電晶體技術的出現，為我們提供了能夠脫離傳統技術和傳統賽道的平台，具備了跟傳統晶片巨頭同台競技的機會。同時也應看到，三星公司已經公布了3nm工藝指標，5nm技術也將於2020年量產，而我們國家的2nm晶片技術，從圖紙到應用就像是網際網路造成新勢力一樣，還有很長的路要走，還有很多的技術問題需要解決。
除了技術難題，設備方面的最大障礙就是光刻機，目前全球只有荷蘭阿斯麥爾公司能夠製造，而其有可能限制對中國的出口。只有新技術和新工藝成熟了，配套的工藝設備完善了，我們國家的自主晶片才能實現真正意義上的彎道超車。還有一點就是我國提出的垂直納米環珊電晶體是2nm及以下晶片工藝的技術候選，最終能不能成為行業標準，還有待驗證。
不管怎麼說，中科院的2nm電晶體技術確實值得慶賀，畢竟這是我們國家自主創新的成果，我們不能再過度依賴美國的技術輸出了。但是也不能盲目地認為中國晶片技術已經超越美國了，我們應該審慎地看待國產2nm技術，韜光養晦，厚積薄發，不斷突破和完善，才能早日擺脫對美國的依賴，相信不久的將來，中國芯也會具有國際話語權。