「業內熱點」64層快閃記憶體存儲密度全球第一!長江存儲將跳過96層直接量產128層快閃記憶體

電子技術應用 發佈 2020-01-18T11:38:37+00:00

據長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,長江存儲64層快閃記憶體的存儲密度是全球第一的,和友商96層快閃記憶體相比差距也在10%之內,並且絕非低端產品,質量有保證,是可以保證盈利的。

1月16日,長江存儲召開市場合作夥伴年會,並在會前披露了快閃記憶體技術方面的一些新情報。

就在日前,長江存儲確認自主研發的64層已經在去年投入量產(256Gb TLC),並正擴充產能,將儘早達成10萬片晶圓的月產能規模,並按期建成30萬片月產能。

據長江存儲市場與銷售資深副總裁龔翔表示,長江存儲64層快閃記憶體的存儲密度是全球第一的,和友商96層快閃記憶體相比差距也在10%之內,並且絕非低端產品,質量有保證,是可以保證盈利的。

接下來,長江存儲將跳過如今業界常見的96層,直接投入128層快閃記憶體的研發和量產工作,但暫時沒有分享具體時間表。

2020年,全球快閃記憶體行業將集體奔向100+層,比如SK海力士已在近期出貨128層快閃記憶體並將在年底做到176層,三星有128層、136層,西數、鎧俠(原東芝存儲)都是112層但存儲密度更高,美光128層,Intel則會做成144層。

長江存儲選擇直奔128層,無疑能進一步縮小與行業先進水平的差距,但挑戰性肯定也更大。

在技術創新層面,長江存儲研發了自己的Xtacking堆棧架構,已經可以保證可靠性問題,下一代的Xtacking 2.0也正在推進中,會重點拓展性能、功能,也是直接上128層堆疊的重要保障。

據介紹,長江存儲Xtacking架構可以實現在兩片獨立的晶圓上加工外圍電路和存儲單元,有利於選擇更先進的邏輯工藝,提升快閃記憶體I/O接口速度、存儲密度,晶片面積也能減少約25%。

當兩片晶圓各自完工後,只需一個處理步驟,就可通過數百萬根垂直互聯通道(VIA),將兩片晶圓鍵合在一起。

得益於並行的、模塊化的產品設計及製造,Xtacking快閃記憶體的開發時間也可縮短三個月,生產周期則可縮短20%。

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