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DRAM前景看好,三星無意助攻?

外電透露,三星華城廠區這次跳電事件,影響的包括生產DRAM的Line 12 產線,和生產NAND Flash 的Line 13 產線,另外,還有採用EUV 技術生產邏輯晶片。

2020-01-02 11:22 / 0人閱讀過此篇文章  

來源:內容來自「經濟日報」,謝謝。

美中關係趨緩,其帶來的不確定因素可望淡化,加上三星華城廠跳電,各方指標都有利DRAM 景氣向上,業者預期,DRAM報價也可望於本季提前上漲。

記憶體業者預期,本季DRAM漲勢由伺服器、繪圖用DRAM率先發動,DRAM產業翻轉向上號角正式響起,後續伴隨在5G和AI人工智慧、智能車、物聯網等邊緣運算對DRAM需求爆發,整體DRAM族群營運都會翻轉向上,產業景氣正式撥雲見日。

尤其是稍早美國記憶體大廠美光釋出部分產品開始恢復供貨華為,市場正面看待主要大廠庫存快速去化,今年DRAM供需逐漸平衡,並隨市場需求提升而逐季調漲,DRAM產業重回景氣向上的正循環,台廠包括南亞科、華邦電、力積電、威剛、十銓等族群提前迎春燕。

美光在最近的法說會中釋出包括伺服器、行動裝置、繪圖晶片等需求展望皆正面,僅PC DRAM因英特爾的CPU 缺貨仍要今年初才會舒緩,但整體需求往正向發展。

市調機構集邦科技也預估,因主要大廠1X奈米製程良率不佳、供貨不及,讓伺服器和繪圖用DRAM翻漲速度比預期快,繪圖用DRAM首季合約價漲幅逾5%,超過伺服器用DRAM,讓整體DRAM產業景氣提前在首季翻揚向上,記憶體族群提前迎接景氣春燕,明年營運看俏。

三星的影響

外電報導,三星位於南韓華城的工廠,在跨年夜發生短暫跳電,華城廠區內的部分工廠短暫停電,後來立即恢復供電,但三星仍決定停工進行產線檢查,在了解受損程度後,希望在最短時間內恢復生產。推估至少要二到三天。

外電透露,三星華城廠區這次跳電事件,影響的包括生產DRAM 的Line 12 產線,和生產NAND Flash 的Line 13 產線,另外,還有採用EUV 技術生產邏輯晶片。

市場人士估計,三星華城的DRAM和NAND Flash產線,雖然設立已有一段時間,但也是三星DRAM和NAND Flash主力產線,至於採用EUV先進設備的產線,製程較新,影響更為嚴重。

至於為何發生跳電的原因,目前並不清楚。一般而言,晶圓廠的供電系統都設計有兩套迴路,分別由兩個不同的變電所來供電,降低因意外而發生跳電的風險。不過,如果發生大規模的天然災害,例如地震而導致電廠停止運轉的情況,這部分就另當別論。因此,這次南韓三星華城廠區在無發生重大天然災害情況,卻發生跳電,這部分也是三星內部必須停工檢查的主要關鍵。

不過,去年日本東芝位於三重縣的廠區因地震發生跳電,經歷長達半年才恢復生產,造成市場NAND Flash供貨短缺,去年7月NAND Flash現貨止跌急漲,去年第4季和今年第1季價格也喊漲,三星華城廠跳電,如果停工期拉長,也勢必影響整體DRAM和NAND Flash供應。

*免責聲明:本文由作者原創。文章內容系作者個人觀點,半導體行業觀察轉載僅為了傳達一種不同的觀點,不代表半導體行業觀察對該觀點讚同或支持,如果有任何異議,歡迎聯繫半導體行業觀察。

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