2020年美光三星等公司會推出新一代的DDR5內存，最高速率可達6400Mbps，將逐步取代DDR4內存。現在的DRAM內存技術還在升級，但是技術瓶頸也日趨明顯，研究人員正在尋找新的內存替代技術，英國就找到了新方向——全新內存延遲可低至10ns，功耗僅有現在1%。
多年來人們一直在尋求完美的「內存」晶片，它既需要低延遲、高帶寬，也要功耗低（不需要頻繁刷新），同時還得容量大，成本低，更重要的是具備斷電不損失數據的特性，可以說是NAND快閃記憶體及DRAM內存的完美體。
這麼多要求，做起來可真不容易，Intel的傲騰內存是基於PCM相變內存技術的，在可靠性、延遲等問題上已經大幅領先現在的快閃記憶體，更接近DRAM內存晶片了，不過超越內存還達不到。
日前外媒報導稱，英國的研究人員找到了一種新型的「內存」，它使用的是III-V族材料，主要是InAs砷化銦和AlSb銻化鋁，用這些材料製成的NVDRAM非易失性內存具備優秀的特性，在同樣的性能下開關能量低了100倍，也就是說功耗只有現有DRAM內存的1%，同時延遲可低至10ns。
總之，這種新型材料製成的內存晶片具備三大特性——超低功耗、寫入不破壞數據、非易失性，其性能相比現在的DRAM內存倒是沒多大提升，10ns級別的延遲跟DDR4內存差不多，但是上面三條特性，尤其是非易失性就足夠讓「內存」革命了。
不過也沒法高興太早，英國研發人員現在只是找到了新一代III-V材料內存的理論方向，真正大規模製造這種內存還是沒影的事，就像是像傳了很久的MRAM、PCM、RRAM晶片一樣。