昨天上午，三星電子公司表示，在周二下午韓國華城晶片工廠發生斷電事故，持續大約一分鐘，導致其部分生產線暫停！
據韓媒報導稱，此次斷電是因為區域電力傳輸電纜出現問題，目前部分DRAM和NAND快閃記憶體的生產已經暫停，預計需要大約2到3天時間才能全面恢復。
外媒透露，三星華城廠區這次跳電事件，影響的包括生產DRAM 的Line 12 產線，和生產NAND Flash 的Line 13 產線，另外，還有採用EUV 技術生產邏輯晶片。
韓聯社援引一位分析師的話稱，這一事件可能有助於抑制三星電子大量晶片庫存的增加。
市場人士估計，三星華城的DRAM和NAND Flash產線，雖然設立已有一段時間，但也是三星DRAM和NAND Flash主力產線，至於採用EUV先進設備的產線，製程較新，影響更為嚴重。
三星表示，正在檢查生產線以備重新啟動，並正在評估造成的損失。據一位直接知情人士稱，此次事故可能造成數百萬美元損失，但沒有造成重大破壞。
至於為何發生跳電的原因，目前並不清楚。一般而言，晶圓廠的供電系統都設計有兩套迴路，分別由兩個不同的變電所來供電，降低因意外而發生跳電的風險。不過，如果發生大規模的天然災害，例如地震而導致電廠停止運轉的情況，這部分就另當別論。因此，這次韓國三星華城廠區在無發生重大天然災害情況，卻發生跳電，這部分也是三星內部必須停工檢查的主要關鍵。
不過，去年日本東芝位於三重縣的廠區因地震發生跳電，經歷長達半年才恢復生產，造成市場NAND Flash供貨短缺，去年7月NAND Flash現貨止跌急漲，去年第4季和今年第1季價格也喊漲，三星華城廠跳電，如果停工期拉長，也勢必影響整體DRAM和NAND Flash供應。
此外，存儲器業者預期，本季DRAM漲勢由伺服器、繪圖用DRAM率先發動，DRAM產業翻轉向上號角正式響起，後續伴隨在5G和AI人工智慧、智能車、物聯網等邊緣運算對DRAM需求爆發，整體DRAM族群營運都會翻轉向上，產業景氣正式撥雲見日。
市調機構集邦諮詢也預估，因主要大廠1X納米製程良率不佳、供貨不及，讓伺服器和繪圖用DRAM翻漲速度比預期快，繪圖用DRAM首季合約價漲幅逾5%，超過伺服器用DRAM，讓整體DRAM產業景氣提前在首季翻揚向上，存儲器族群提前迎接景氣春燕，明年營運看俏。