韓國科技業消息人士透露，三星電子位於首爾西南方約60公里的華城晶片廠，12月31日停電大約1分鐘，預估損失金額在數十億韓元左右（38.8韓元兌新台幣1元）。此次斷電原因是區域電力傳輸電纜出現問題，目前三星電子（Samsung Electronics）一些動態隨機存取記憶體（DRAM）和儲存型快閃記憶體（NAND Flash）晶片生產線停擺，預計要2、3天左右才能完全恢復。
全球最大記憶體晶片製造商三星電子1月1日發布聲明表示，公司正在檢查生產線以便準備復工，目前還在調查損失程度。外媒透露，三星華城廠區這次跳電事件，影響的包括生產DRAM的Line 12產線，和生產NAND Flash 的Line 13產線，另外，還有採用EUV技術生產邏輯晶片。
2018年三星電子的平澤（Pyeongtaek）晶片廠也曾停電半小時，當時損失金額估計達500億韓元（約12億9000萬台幣）。據一熟悉內情的消息人士指出，這次停電造成的損失可能達到數百萬美元，並未出現重大損害。
至於為何發生跳電的原因，目前並不清楚。一般而言，晶圓廠的供電系統都設計有兩套迴路，分別由兩個不同的變電所來供電，降低因意外而發生跳電的風險。不過，如果發生大規模的天然災害，例如地震而導致電廠停止運轉的情況，這部分就另當別論。因此，這次韓國三星華城廠區在無發生重大天然災害情況，卻發生跳電，這部分也是三星內部必須停工檢查的主要關鍵。
去年日本東芝位於三重縣的廠區因地震發生跳電，經歷長達半年才恢復生產，造成市場NAND Flash供貨短缺，去年7月NAND Flash現貨止跌急漲，去年第4季和今年第1季價格也喊漲，三星華城廠跳電，如果停工期拉長，也勢必影響整體DRAM和NAND Flash供應。
此外，存儲器業者預期，本季DRAM漲勢由伺服器、繪圖用DRAM率先發動，DRAM產業翻轉向上號角正式響起，後續伴隨在5G和AI人工智慧、智能車、物聯網等邊緣運算對DRAM需求爆發，整體DRAM族群營運都會翻轉向上，「三星停電」這事有助於抑制三星電子大量晶片庫存的增加。