英飛凌科技股份公司（FSE: IFX / OTCQX: IFNNY）進一步擴展其碳化矽（SiC）產品組合，推出 650V器件。其全新發布的 CoolSiC™MOSFET滿足了包括伺服器、電信和工業 SMPS、太陽能系統、能源存儲和電池化成、不間斷電源（UPS）、電機控制和驅動以及電動汽車充電在內的大量應用與日俱增的能效、功率密度和可靠性的需求。
「隨著新產品的發布，英飛凌完善了其 600V/650V 細分領域的矽基、碳化矽以及氮化鎵功率半導體產品組合，」英飛凌電源管理及多元化市場事業部高壓轉換業務高級總監 Steffen Metzger 表示，「這凸顯了我們在市場中的獨特地位：英飛凌是市場上唯一一家能夠提供涵蓋矽、碳化矽和氮化鎵等材料的全系列功率產品的製造商。而全新 CoolSiC™系列是我們矢志成為工業 SiC MOSFET 開關領域頭號供應商的有力支持。」
650 V CoolSiC™ MOSFET 器件的額定值在 27 mΩ-107 mΩ之間，既可採用典型的 TO-247 3 引腳封裝，也支持開關損耗更低的 TO-247 4 引腳封裝。與過去發布的所有 CoolSiC™ MOSFET 產品相比，全新 650V 系列基於英飛凌先進的溝槽半導體技術。通過最大限度地發揮碳化矽強大的物理特性，確保了器件具有出色的可靠性、出類拔萃的開關損耗和導通損耗。此外，它們還具備最高的跨導水平（增益）、4V 的閾值電壓（Vth）和短路穩健性。總而言之，溝槽技術可以在毫不折衷的情況下，在應用中實現最低的損耗，並在運行中實現最佳可靠性。
與市面上其它矽基以及碳化矽解決方案相比，650 V CoolSiC™ MOSFET 能夠帶來更加吸引人的優勢：更高開關頻率下更優的開關效率以及出色的可靠性。得益於與溫度相關的超低導通電阻（RDS(on)），這些器件具備出色的熱性能。此外，它們還採用了堅固耐用的體二極體，有非常低的反向恢復電荷：比最佳的超結 CoolMOS™ MOSFET 低 80%左右。其換向堅固性，更是輕鬆實現了 98%的整體系統效率，如通過連續導通模式圖騰柱功率因素校正（PFC）。
為了簡化採用 650 V CoolSiC™ MOSFET 的應用設計，確保器件高效運行，英飛凌還提供了專用的單通道和雙通道電氣隔離 EiceDRIVER™柵極驅動器 IC。這個解決方案（整合了 CoolSiC™開關和專用的柵極驅動器 IC）有助於降低系統成本和總擁有成本，以及提高能效。CoolSiC™ MOSFET 可與其它英飛凌 EiceDRIVER™柵極驅動器系列 IC 無縫協作。
供貨情況
650 V CoolSiC™ MOSFET 系列共 8 個版本，採用兩種插件 TO-247 封裝，現已支持訂購。三種專用柵極驅動器 IC 將於 2020 年 3 月起供貨。